快科技5月25日音讯，在与SK双双延伸第十代NAND量产节点之际，铠侠在堆叠层数层面最初交出了量产时刻表。

铠侠近日认真将第十代BiCS10 3D NAND闪存量产列为2026财年枢纽战术要点，量产时刻锁定2026年5月至2027年3月区间。

时期规格上，BiCS10给与332层存储单位堆叠架构，比拟现金BiCS8的218层增多约52%，位密度擢升高达59%。

联结Toggle DDR 6.0接口圭臬，I/O传输速率从上一代的3.6Gbps擢升至4.8Gbps，增幅约33%。输入功耗裁汰10%，2026世界杯实时比分输出功耗裁汰34%，在圭臬TLC格式下可杀青单颗2Tb存储容量。

这款芯片沿用了CMOS获胜键合阵列（CBA）架构，将逻辑电路和存储阵列区分在不同晶圆上制造后再键合。这种筹算无需借助更复杂的PLC架构即可杀青密度与可靠性的均衡。

坐蓐布局方面，铠侠将BiCS10的量产任务分派至日本岩手县北上市的K2新工场。该工场配备专为高层NAND闪存筹算的修复，在本钱开销上较新建工场大幅压缩。

值得刺眼的是，铠侠于今尚未认真收到大规模阐明订单，酌量投资详细展望到2026年下半年才舒缓晴明。量产时刻表与本色出货量之间的差距，一经铠侠研讨中最大的不细目身分。